氏名 : 遠藤 賢太郎 (281467026)
所属 : 白石研
題目 : AlN/SiC(半導体)界面における電子状態の第一原理計算
概要 :
SiC（炭化ケイ素）は原発８基分の省エネ効果があると言われています。
SiCとは現在最も使用されている半導体材料であるSi（ケイ素）と比較して高耐圧、高耐熱、高い電子移動度などの利点を持っており、次世代半導体材料として期待されている物質です。Siは熱酸化によって良質なSi/SiO2を形成してその界面に電流を流しますが、SiCの場合は熱酸化によって良質なSiC/SiO2が形成できていないのが現状です。良質な界面ができないために電子移動度が小さくなってしまい、期待されている性能を発揮することができません。逆に、SiCの界面状態を改善することは省エネに直結します。本研究では、SiCに格子定数が近いAlNをSiO2の替わりに用いることで良質な界面ができるのではないか、というアイデアからSiC/AlN超格子モデルを作成して界面の電子状態を第一原理計算（vasp5.3）によって調べました。SiC/AlN構造に用いた界面は(0001)面と(11-20)面です。中間発表では、どのような原子構造のときにきれいな界面が得られるのかについて発表したいと思います。
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